RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
81
Autour de 48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
81
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
1634
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link