RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
2892
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link