RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
2713
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link