RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3405
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-011.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link