RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3061
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link