RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
50
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2326
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link