RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
43
Autour de -23% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2200
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link