RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3650
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link