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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2910
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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