RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
95
Autour de 55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
95
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
1518
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link