RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3044
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link