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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3318
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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