RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
42
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
21
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3437
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link