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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2466
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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