RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
3119
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link