RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
2414
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link