RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
40
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2938
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link