RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2537
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link