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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
44
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
1927
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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