RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2449
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link