RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3266
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link