RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
43
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2058
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link