RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
48
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
48
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2852
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link