RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
45
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
45
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3233
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link