RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
43
Autour de -95% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3207
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link