RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
43
Autour de -95% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3987
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link