RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24.7
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
24.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
19.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
4174
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link