RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2960
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link