RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link