RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2913
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link