RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
43
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3482
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link