RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2816
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link