RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
43
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
2902
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link