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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
73
Autour de 41% latence réduite
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
73
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
1843
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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