RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
3350
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link