RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
39
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2600
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link