RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
54
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
54
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2259
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link