RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
1511
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link