RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
2196
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link