RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Comparez
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Note globale
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
25
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
18
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2646
3564
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaison des RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link