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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
96
Autour de 76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
96
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
4.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
1062
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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