RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
23
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
2340
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link