RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
3112
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link