RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
1881
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link