RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
34
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
2616
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link