RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3136
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link