RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2237
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link