RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3683
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link