RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3168
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link