RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
71
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
71
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
5.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1344
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link